深圳市泰和嘉科技有限公司
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新闻资讯
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氮化镓射频开关在高功率射频设计中的应用
2023-10-23
在大功率射频前端(RFFE)设计中,PIN 二极管技术一直是射频开关的常规选择。由于射频频段的数量有限,而且电路板的空间也不是一个制约因素,一般这种技术是足够的。然而随着现代高功率基站和军事通信射频链路需要覆盖更多频段,以满足安全语音和数据通信的需求,同时优化 SWaP(尺寸、重量和功耗)。在 mMIMO 架构的推动下,5G 基站远端射频头(RRH)的结构正变得极为复杂,许多 RFFE 必须...
射频开关的主要参数指标
2023-10-23
隔离度:Isolation,电路输入端和输出端之间的衰减度,是衡量开关截止有效性的指标;插入损耗: Insertion Loss,又称为传输损耗,是开关处于导通状态下时损耗的总功率,由于插入损耗可直接导致系统噪声系数的增大,对于设计者而言,插入损耗是最为关键的参数;开关时间: Switching Time,指开关从“导通”状态转变为“截止”状态以及从“截止”状态转变为“导通”状态所需要的时间...
TS8023N-100W连续波功率,宽带氮化镓射频开关
2023-10-23
TS8023N是Tagore Technology(http://www.tagoretech.com)的第二代对称反射型GaN氮化镓SPDT射频开关,工作频率范围30~3500MHz,目前已经在国内外多家客户批量应用。TS8023N主要特性参数:• 低插入损耗:0.4dB@3.5GHz• 高隔离度:42dB@1.0GHz,27dB@3.5GHz• 100W CW,200W峰值功率• 射频链...
Tagore technology GaN射频开关与 PIN 二极管射频开关的比较
2023-10-23
Tagore technology(www.tagoretech.com) 的 GaN 射频开关采用耗尽模式 GaN HEMT 技术,具有高击穿电压的 GaN HEMT 的饱和电流接近 1 A/mm,因此理论上 2 至 3 毫米的器件可以满足 50Ω 系统中 100W 功率的峰值电流要求。开关功能就像绝缘体上硅(SOI)开关,通过在 栅极施加电压来打开/关闭器件。然而,与 SOI 不同的是,...
TS86236P-200W连续波GaN氮化镓射频开关
2023-10-23
TS86236P 是Tagore technology(http://www.tagoretech.com)公司最新推出的第⼆代对称反射型SPDT射频开关,覆盖频率30~1000MHz,具有低插损耗、⾼隔离度和⾼线性度等特点优势。TS86236P可以承受200W连续波功率,⾼隔离度(70 dB @ 30 MHz、38 dB @ 1GHz),低插损(0.08dB @ 30 MHz),仅需2.6...
10-200W连续波功率的GaN大功率射频开关,替代PIN Diode,简便您的设计
2023-10-12
泰戈尔科技(Tagore Technology)成立于2011年1月,是射频(RF)和电源管理应用氮化镓封装,硅衬底及碳化硅衬底技术的先驱。我们先进的专有技术和设备显著降低了复杂性、尺寸、重量和功耗,与传统的硅半导体解决方案相比,功率转换性能显著提高。我们是一家无晶圆厂半导体公司,在美国伊利诺伊州阿灵顿高地和印度加尔各答设有设计中心。研发团队致力于开发利用宽带隙技术的颠覆性解决方案,助于解决...
关键参数:射频开关的线性指标与非线性指标
2023-10-12
线性指标:线性指标是指射频开关在工作范围内的线性性能。具体来说,线性指标描述了射频开关在输入和输出之间是否有线性关系。线性指标通常包括以下几个方面:插入损耗(Insertion Loss):射频开关在导通状态下引入的信号损耗。较低的插入损耗意味着更好的信号传递能力。反射损耗(Return Loss):射频开关在断开状态下对输入信号的反射程度。较高的反射损耗表示更好的匹配和较少的信号反射。带内...
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